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bcl3最新视觉报道_bcl3的电子式(2024年12月全程跟踪)

内容来源：奇优电影院所属栏目：热点更新日期：2024-12-05

bcl3

如何防止铝刻蚀后的腐蚀问题？𐟛᯸ 在半导体制造领域，铝因其成本低廉、加工简便而广泛使用。然而，铝刻蚀后容易发生腐蚀，这成为了一个重要的问题。本文将探讨铝刻蚀后腐蚀的原因及解决方法。 𐟔 铝刻蚀后腐蚀的原因铝刻蚀是半导体制造过程中的关键步骤，通常使用Cl2、BCl3、HBr等气体进行干法刻蚀。这些气体与铝反应生成挥发性的AlCl3等产物，从而实现刻蚀。然而，部分挥发性产物可能被困在光刻胶中或铝表面。当晶圆暴露在湿气中时，AlCl3与水反应形成盐酸，进而导致铝的腐蚀。这种腐蚀通常在刻蚀后的两三天内显现。 𐟛 ️ 防止铝刻蚀后腐蚀的方法彻底清洗：干法刻蚀后，立即使用O2+CHF3气体去除光刻胶。CHF3生成的氟自由基能与AlCl3反应生成稳定的AlF3，从而避免铝表面的腐蚀。钝化处理：使用去离子水或合适的溶剂进行彻底清洗，确保所有残留的AlCl3被彻底去除。此外，可以在铝的刻蚀侧壁形成一层挥发性的溴化铝（AlBrx）钝化层，这层钝化层有助于保护侧壁，减少不必要的侧向刻蚀。密封存储：避免晶圆在刻蚀和光刻胶剥离工序之间暴露于高湿度环境中，使用密封晶圆盒存储晶圆，以减少AlCl3与水反应的机会。通过以上措施，可以有效避免铝刻蚀后的腐蚀问题，保证半导体产品的性能和可靠性。

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